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MPCVD单晶金刚石生长工艺生长原理是什么呢?

常见问题

2021-08-20 10:59:44

来源:网络

作者:云顶国际版

随着科技的发展,金刚石的生长方式越来越多样,今天,云顶国际版 微波带你来了解一下,其中的MPCVD单晶金刚石生长工艺生长原理是什么呢?

生长 MPCVD 单晶金刚石所用气源主要有氢气( H2) 、甲烷( CH4) 、氮气( N2) 和氧气( O2) ,在微波源的作用下裂解成 H、O、N 原子或 CH2、CH3、C2H2、OH 等基团。含碳基团( CH2、CH3、C2H2) 将在金刚石表面形成气固混合界面,在动态平衡模型或非平衡热力学模型下实现金刚石( sp3) 、非晶碳或石墨( sp2) 的生长。氢等离子体刻蚀非晶碳或石墨( sp2) 的速度比刻蚀金刚石( sp3) 快得多,因此 CVD 金刚石表面的非金刚石相被快速刻蚀,从而实现金刚石生长。

金刚石生长机理

(金刚石生长机理示意图)

云顶国际版 研发的固态微波功率源,其中2450-6KW固态微波源ag华体会 等微波源设备已经广泛应用于MPCVD金刚石生长设备上,其以高稳定性、高可靠性、高安全性、长寿命等诸多优点,深受广大客户的好评与喜爱!


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